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IGBT, NGB8207ABNT4G, , 50 A, 365 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-8051753
Fabricant:
     Littelfuse
N°. du fabricant:
     NGB8207ABNT4G
EAN/GTIN:
     5059041441889
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor CMS
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur. Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
Plus d'informations:
Courant continu de Collecteur maximum:
50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum:
365 V
Tension Grille Emetteur maximum:
±15V
Dissipation de puissance maximum:
165 W
Type de boîtier:
D2PAK (TO-263)
Type de montage:
CMS
Type de canal:
N
Nombre de broches:
3
Configuration du transistor:
Simple
Dimensions:
10.29 x 9.65 x 4.83mm
Température d'utilisation maximum:
+175 °C
Température de fonctionnement minimum:
-55 °C
Autres mots de recherche: Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor cms, 8051753, Semi-conducteurs, Composants discrets, IGBT, Littelfuse, NGB8207ABNT4G
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