Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-8047596 N°. du fabricant:
IXFN110N60P3 EAN/GTIN:
5059041488709 |
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| Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar3™. Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 90 A | Tension Drain Source maximum: | 600 V | Type de boîtier: | SOT-227 | Série: | HiperFET, Polar3 | Type de montage: | Montage à visser | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 56 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Dissipation de puissance maximum: | 1,5 kW | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -30 V, +30 V | Longueur: | 38.23mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 8047596, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFN110N60P3 |
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