Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-7743347 N°. du fabricant:
1N5819G EAN/GTIN:
5059042801231 |
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| Redresseurs à sortie axiale 1N5817 / 8 / 9 d'ON Semiconductor. Cette série se compose de diodes de puissance métal à silicone. Ces diodes sont fournies en version à métal à barrière chrome, passivation oxyde et contact à recouvrement en métal. Avantages :. VF extrêmement faible Faible charge stockée Conduction porteuse majoritaire Faible perte de puissance/haut rendement. Caractéristiques :. Boîtier : époxy, moulé Poids : 0,4 gramme Finition : toutes les surfaces externes sont résistantes à la corrosion et les cordons de jonction sont faciles à souder Température de câble pour le soudage : 260 °C maximum pendant 10 secondes Polarité : cathode indiquée par bande de polarité. Applications typiques :. Variateurs haute fréquence Diodes de roue libre Diodes de protection des polarités Plus d'informations: | | Type de montage: | Traversant | Type de boîtier: | DO-41 | Courant direct continu maximum: | 1A | Tension inverse de crête répétitive: | 40V | Configuration de diode: | Simple | Type de redressement: | Redresseur Schottky | Type diode: | Schottky | Nombre de broches: | 2 | Chute minimale de tension directe: | 900mV | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Technologie de diode: | Barrière Schottky | Diamètre: | 2.7mm | courant direct de surcharge non-répétitif de crête: | 25A |
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| Autres mots de recherche: diode schottky, 7743347, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, onsemi, 1N5819G |
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