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MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 28 A 300 V, 3 broches


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-7598970
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FDB28N30TM
EAN/GTIN:
     5059042922097
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Transistor MOSFET à canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor. UniFET™ MOSFET est la famille de transistors MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor. Elle possède la plus petite résistance à l'état passant parmi les transistors MOSFET planaires, et offre également d'excellentes performances de commutation et une plus grande résistance à l'énergie d'avalanche. En outre, la diode PESD source de matrice interne permet au transistor MOSFET UniFET-II™ de résister à des surtensions Modèle du corps humain de plus de 2 000 V. Les transistors MOSFET UniFET™ sont adaptés aux applications de convertisseurs d'alimentation à découpage, telles que la correction de facteur de puissance, l'alimentation de téléviseurs à écrans plats, les alimentations ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampes électroniques.
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
28 A
Tension Drain Source maximum:
300 V
Type de boîtier:
D2PAK (TO-263)
Série:
UniFET
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
129 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:
3V
Dissipation de puissance maximum:
250 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-30 V, +30 V
Longueur:
10.67mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Autres mots de recherche: 7598970, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FDB28N30TM
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