MOSFET Infineon canal N, D2PAK-7 180 A 120 V, 7 broches

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Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-7545428

Fabricant:
Infineon

N°. du fabricant:
IPB036N12N3GATMA1

EAN/GTIN:
5059043805672

Mots de recherche:

Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	180 A
Tension Drain Source maximum:	120 V
Type de boîtier:	D2PAK-7
Série:	OptiMOS™ 3
Type de montage:	CMS
Nombre de broches:	7
Résistance Drain Source maximum:	3,6 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:	4V
Tension de seuil minimale de la grille:	2V
Dissipation de puissance maximum:	300 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-20 V, +20 V
Longueur:	10.31mm

Autres mots de recherche: Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor cms, 7545428, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IPB036N12N3GATMA1

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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295

Période:	Dans les 15 jours
État de l'emballage:	Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:	Non utilisé
Frais de retour:	A la charge du client
Frais de traitement:	aucune
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.