Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-7545412 N°. du fabricant:
IPB017N06N3 G EAN/GTIN:
5059043256696 |
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| Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V. Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser. MOSFET à commutation rapide pour SMPS Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c. Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées Canal N, niveau logique Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM) Très faible résistance R DS(on) Placage compatible sans plomb Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 180 A | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | D2PAK-7 | Série: | OptiMOS™ 3 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 7 | Résistance Drain Source maximum: | 1,7 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 250 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | -20 V, +20 V | Longueur: | 10.31mm |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 7545412, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IPB017N06N3G |
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