MOSFET onsemi canal N, SOIC 12,5 A 30 V, 8 broches

Quantité:

Boîte

Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-6710605

Fabricant:
onsemi

N°. du fabricant:
FDS6680A

EAN/GTIN:
5059042842166

Mots de recherche:

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	12,5 A
Tension Drain Source maximum:	30 V
Type de boîtier:	SOIC
Série:	PowerTrench
Type de montage:	CMS
Nombre de broches:	8
Résistance Drain Source maximum:	10 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:	1V
Dissipation de puissance maximum:	2,5 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-20 V, +20 V
Longueur:	5mm
Température d'utilisation maximum:	+150 °C

Autres mots de recherche: 6710605, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FDS6680A

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