Diode traversante Taiwan Semiconductor, 1A, 40V, DO-41

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N° du produit:
1295E-6527337

N°. du fabricant:
1N5819

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Mots de recherche:

Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor. Faible perte de puissance Faible chute de tension directe Capacité de courant élevé

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Type de montage:	Traversant
Type de boîtier:	DO-41
Courant direct continu maximum:	1A
Tension inverse de crête répétitive:	40V
Configuration de diode:	Simple
Type de redressement:	Redresseur Schottky
Type diode:	Schottky
Nombre de broches:	2
Chute minimale de tension directe:	900mV
Nombre d'éléments par circuit:	1
Technologie de diode:	Barrière Schottky
Diamètre:	2.7mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête:	30A

Autres mots de recherche: 6527337, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, Taiwan Semiconductor, 1N5819

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