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MOSFET Infineon canal P, I2PAK (TO-262) 38 A 100 V, 3 broches

Quantité:

Boîte

Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-6503707

Fabricant:
Infineon

N°. du fabricant:
IRF5210LPBF

EAN/GTIN:
5059043511375

Mots de recherche:

MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET

Transistor MOSFET de puissance à canal P 100 à 150 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal P dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Plus d'informations:


Type de canal:	P
Courant continu de Drain maximum:	38 A
Tension Drain Source maximum:	100 V
Type de boîtier:	I2PAK (TO-262)
Série:	HEXFET
Type de montage:	Traversant
Nombre de broches:	3
Résistance Drain Source maximum:	60 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:	4V
Tension de seuil minimale de la grille:	2V
Dissipation de puissance maximum:	3,1 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-20 V, +20 V
Longueur:	10.54mm

... > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Autres mots de recherche: mosfet 100v, mosfet de puissance, mosfet 150v, 6503707, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IRF5210LPBF

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Prix dégressifs

Quantité	HT	TTC	Unité

1 Boîte	€ 15,285*	€ 18,342	par Boîte
à partir de 2 Boîtes	€ 15,235*	€ 18,282	par Boîte
à partir de 5 Boîtes	€ 12,97*	€ 15,564	par Boîte
à partir de 10 Boîtes	€ 11,65*	€ 13,98	par Boîte
à partir de 20 Boîtes	€ 11,13*	€ 13,356	par Boîte
à partir de 25 Boîtes	€ 10,335*	€ 12,402	par Boîte
à partir de 50 Boîtes	€ 9,66*	€ 11,592	par Boîte
à partir de 3000 Boîtes	€ 8,26*	€ 9,912	par Boîte