Informations sur les produits | ![](/p.gif) |
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| N° du produit: 1295E-2799995 N°. du fabricant: SISS5112DN-T1-GE3 EAN/GTIN: Pas d'information |
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![](/p.gif) | Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 40,7 A Tension Drain Source maximum = 100 V Type de boîtier = 1212-8S Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Mode de canal = Enrichissement Nombre d'éléments par circuit = 1 Plus d'informations: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 40,7 A | Tension Drain Source maximum: | 100 V | Type de boîtier: | 1212-8S | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Mode de canal: | Enrichissement | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Silicium |
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