Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2626729 N°. du fabricant:
IRF3808PBF EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 140 A
Tension Drain Source maximum = 75 V
Série = HEXFET
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 3
Mode de canal = Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit = 2 Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 140 A | Tension Drain Source maximum: | 75 V | Type de boîtier: | TO-220AB | Série: | HEXFET | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Mode de canal: | Enrichissement | Nombre d'éléments par circuit: | 2 | Matériau du transistor: | Silicium |
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| Autres mots de recherche: 2626729, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IRF3808PBF |
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