Informations sur les produits | ![](/p.gif) |
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| N° du produit: 1295E-2363563 N°. du fabricant: CUS10S30,H3F(T EAN/GTIN: Pas d'information |
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![](/p.gif) | Type de montage = CMS Type de boîtier = USC Courant direct continu maximum = 5A Tension inverse de crête répétitive = 30V Type de redressement = Diode Schottky Type diode = Schottky Nombre de broches = 2 Nombre d'éléments par circuit = 1 Technologie de diode = Barrière Schottky Plus d'informations: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Type de montage: | CMS | Type de boîtier: | USC | Courant direct continu maximum: | 5A | Tension inverse de crête répétitive: | 30V | Type de redressement: | Diode Schottky | Type diode: | Schottky | Nombre de broches: | 2 | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Technologie de diode: | Barrière Schottky |
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![](/p.gif) | Autres mots de recherche: Diode SMD, Diodes SMD, Diode de commutation, Diodes de commutation, diode smd, 2363563, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, Toshiba, CUS10S30,H3F(T |
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