Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2363560 N°. du fabricant:
CUS08F30,H3F(T EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de montage = CMS
Type de boîtier = USC
Courant direct continu maximum = 5A
Tension inverse de crête répétitive = 30V
Type de redressement = Diode Schottky
Type diode = Schottky
Nombre de broches = 2
Nombre d'éléments par circuit = 1
Technologie de diode = Barrière Schottky Plus d'informations: | | Type de montage: | CMS | Type de boîtier: | USC | Courant direct continu maximum: | 5A | Tension inverse de crête répétitive: | 30V | Type de redressement: | Diode Schottky | Type diode: | Schottky | Nombre de broches: | 2 | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Technologie de diode: | Barrière Schottky |
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| Autres mots de recherche: Diode SMD, Diodes SMD, Diode de commutation, Diodes de commutation, diode smd, 2363560, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, Toshiba, CUS08F30,H3F(T |
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