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IGBT, RGTV80TK65GVC11, , 23 A, 650 V, TO-3PFM, 3 broches, Emetteur commun

Quantité:

Pièces

Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-2352737

Fabricant:
ROHM Semiconductor

N°. du fabricant:
RGTV80TK65GVC11

EAN/GTIN:
Pas d'information

Mots de recherche:

Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors

Courant continu de Collecteur maximum = 23 A
Tension Collecteur Emetteur maximum = 650 V
Tension Grille Emetteur maximum = ±30V
Dissipation de puissance maximum = 85 W
Type de boîtier = TO-3PFM
Type de montage = Traversant
Type de canal = N
Nombre de broches = 3
Configuration du transistor = Emetteur commun

Plus d'informations:


Courant continu de Collecteur maximum:	23 A
Tension Collecteur Emetteur maximum:	650 V
Tension Grille Emetteur maximum:	±30V
Dissipation de puissance maximum:	85 W
Nombre de transistors:	1
Configuration:	Simple
Type de boîtier:	TO-3PFM
Type de montage:	Traversant
Type de canal:	N
Nombre de broches:	3
Configuration du transistor:	Emetteur commun