Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-2347155 N°. du fabricant:
RJK0651DPB-00J5 EAN/GTIN:
Pas d'information |
| |
|
| | |
| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 25 A
Tension Drain Source maximum = 60 V
Type de boîtier = LFPAK, SOT-669
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 4
Résistance Drain Source maximum = 0,014 Ω
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2.5V
Nombre d'éléments par circuit = 1 Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 25 A | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | LFPAK, SOT-669 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 0,014 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.5V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Silicium |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: 2347155, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Renesas Electronics, RJK0651DPB00J5 |
| | |
| |