Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2347061 N°. du fabricant:
2SK1835-E EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 4 A
Tension Drain Source maximum = 1500 V
Type de boîtier = TO-3PN
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 4,6 Ω
Mode de canal = Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit = 1 Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 4 A | Tension Drain Source maximum: | 1500 V | Type de boîtier: | TO-3PN | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 4,6 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Silicium |
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| Autres mots de recherche: 2347061, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Renesas Electronics, 2SK1835E |
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