Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2330473 N°. du fabricant:
SCTWA35N65G2V-4 EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 45 A
Tension Drain Source maximum = 650 V
Type de boîtier = Hip247-4
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 4
Résistance Drain Source maximum = 0,067 Ω
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 5V
Nombre d'éléments par circuit = 1 Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 45 A | Tension Drain Source maximum: | 650 V | Type de boîtier: | Hip247-4 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 4 | Résistance Drain Source maximum: | 0,067 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Silicium |
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| Autres mots de recherche: 2330473, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, SCTWA35N65G2V4 |
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