Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2282880 N°. du fabricant:
SiHP6N80AE-GE3 EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 5 A
Tension Drain Source maximum = 850 V
Série = E Series
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 0,95 Ω
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 4V
Nombre d'éléments par circuit = 1 Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 5 A | Tension Drain Source maximum: | 850 V | Type de boîtier: | TO-220AB | Série: | E Series | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 0,95 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Si |
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| Autres mots de recherche: 2282880, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SiHP6N80AEGE3 |
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