Informations sur les produits | ![](/p.gif) |
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| N° du produit: 1295E-2183127 N°. du fabricant: IRLR2703TRPBF EAN/GTIN: Pas d'information |
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![](/p.gif) | Transistor MOSFET de puissance à canal N série Infineon HEXFET. Il utilise des techniques Advanced Processing pour obtenir la plus faible résistance possible par surface de silicium. Ce transistor MOSFET est conçu pour le montage en surface à laide de techniques de soudage par phase vapeur, infrarouge ou à la vague.Résistance à létat passant ultra faible Commutation rapide Entièrement homologation avalanche Sans plomb Plus d'informations: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 23 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | DPAK (TO-252) | Série: | HEXFET | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 0,045 Ω, 0,065 Ω | Tension de seuil maximale de la grille: | 1V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Si |
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![](/p.gif) | Autres mots de recherche: mosfet de puissance, 2183127, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IRLR2703TRPBF |
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