Informations sur les produits | ![](/p.gif) |
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| N° du produit: 1295E-2152597 N°. du fabricant: IRFR120ZTRPBF EAN/GTIN: Pas d'information |
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![](/p.gif) | Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 8,7 A Tension Drain Source maximum = 100 V Série = HEXFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,19 Ω Mode de canal = Enrichissement Tension de seuil maximale de la grille = 4V Nombre d'éléments par circuit = 1 Plus d'informations: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 8,7 A | Tension Drain Source maximum: | 100 V | Type de boîtier: | DPAK (TO-252) | Série: | HEXFET | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 0,19 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Si |
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![](/p.gif) | Autres mots de recherche: 2152597, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IRFR120ZTRPBF |
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