Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2148953 N°. du fabricant:
AUIRFR540Z EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Les transistors MOSFET de puissance Infineon HEXFET utilisent les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont la température dutilisation de la jonction à 175 °C, la vitesse de commutation rapide et lindice davalanche répétitif amélioré. Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications automobiles et une grande variété dautres applications.Technologie de traitement avancée Résistance à létat passant ultra faible Homologué pour lautomobile Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 35 A | Tension Drain Source maximum: | 100 V | Type de boîtier: | DPAK (TO-252) | Série: | HEXFET | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 0,0285 O | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | Si |
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| Autres mots de recherche: transistors de puissance, 2148953, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, AUIRFR540Z |
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