Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-2133942 N°. du fabricant:
SCTL35N65G2V EAN/GTIN:
Pas d'information |
| |
|
| | |
| The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.Very fast and robust intrinsic body diode Low capacitance Source sensing pin for increased efficiency Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 40 A | Tension Drain Source maximum: | 650 V | Type de boîtier: | PowerFLAT 8 x 8 HV | Série: | SCTL35N65G2V | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 5 | Résistance Drain Source maximum: | 0.067 O | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | SiC |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: 2133942, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, SCTL35N65G2V |
| | |
| |