Informations sur les produits | ![](/p.gif) |
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| N° du produit: 1295E-2133942 N°. du fabricant: SCTL35N65G2V EAN/GTIN: Pas d'information |
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![](/p.gif) | The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.Very fast and robust intrinsic body diode Low capacitance Source sensing pin for increased efficiency Plus d'informations: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 40 A | Tension Drain Source maximum: | 650 V | Type de boîtier: | PowerFLAT 8 x 8 HV | Série: | SCTL35N65G2V | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 5 | Résistance Drain Source maximum: | 0.067 O | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 5V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Matériau du transistor: | SiC |
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![](/p.gif) | Autres mots de recherche: 2133942, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, SCTL35N65G2V |
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