Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-2104997 N°. du fabricant:
SIHU2N80AE-GE3 EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Le transistor MOSFET de puissance série E de Vishay est doté dun boîtier Ipak (TO-251).Facteur de mérite (FOM) faible Ron x Qg Faible capacité effective (Ciss) Pertes de conduction et de commutation réduites Très faible charge de grille (QG) Valeur nominale en énergie davalanche (ISU) Protection ESD à diode Zener intégrée Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 2,9 A | Tension Drain Source maximum: | 800 V | Type de boîtier: | IPAK (TO-251) | Série: | E | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 2,5 Ω | Tension de seuil maximale de la grille: | 2 → 4V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 |
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| Autres mots de recherche: 2104997, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SIHU2N80AEGE3 |
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