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IGBT, STGWA40IH65DF, , 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Emetteur commun


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-2025519
Fabricant:
     ST Microelectronics
N°. du fabricant:
     STGWA40IH65DF
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
transistor de puissance
LIGBT série H à commutation douce de STMicroelectronics a été développé à laide dune structure Advanced propriétaire darrêt de champ à porte de tranchée, dont les performances sont optimisées en termes de pertes de conduction et de commutation pour la commutation douce.Diode à roue libre à faible chute, co-emballée Coefficient de température VCE(sat) positif
Plus d'informations:
Courant continu de Collecteur maximum:
40 A
Tension Collecteur Emetteur maximum:
650 V
Tension Grille Emetteur maximum:
±20V
Dissipation de puissance maximum:
238 W
Nombre de transistors:
1
Type de boîtier:
A-247
Type de canal:
N
Nombre de broches:
3
Configuration du transistor:
Emetteur commun
Autres mots de recherche: 2025519, Semi-conducteurs, Composants discrets, IGBT, STMicroelectronics, STGWA40IH65DF
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