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Module MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247 65 A 1200 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-2025478
Fabricant:
     ST Microelectronics
N°. du fabricant:
     SCT50N120
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Cela entraîne une résistance à létat passant inégalée par zone dunité et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température.Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste Capacité faible
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
65 A
Tension Drain Source maximum:
1200 V
Type de boîtier:
HiP247
Série:
SCT
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
0,59 Ω
Mode de canal:
Depletion
Tension de seuil maximale de la grille:
3V
Nombre d'éléments par circuit:
1
Matériau du transistor:
SiC
Autres mots de recherche: Transistor, transistor de puissance, 2025478, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, STMicroelectronics, SCT50N120
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Quantité de commande minimale: 30 Pièces ( € 891,24* hors TVA )
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Expédition: Entrepôt 1295
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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