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MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 12 A, 18 A. 650 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     1295E-2006818
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIHP186N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 12 A, 18 A.
Tension Drain Source maximum = 650 V
Série = EF
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 0,193 Ω
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 5V
Nombre d'éléments par circuit = 1
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
12 A, 18 A.
Tension Drain Source maximum:
650 V
Type de boîtier:
TO-220AB
Série:
EF
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
0,193 Ω
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
5V
Nombre d'éléments par circuit:
1
Autres mots de recherche: Transistor, transistors de puissance, 2006818, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SIHP186N60EFGE3
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Prix: Entrepôt 1295
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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