AEC-Q100 Driver de MOSFET Si8275BBD-IM1, TTL 1,8 A, 4 A. 5.5V, 14 broches, QFN

Les dispositifs SI8275BBD-IM1 offrent des options pour un driver de driver double et dentrées VIA, VIB. Le Si8275BBD-IM1, avec son immunité au bruit hautes performances, élimine le risque posé par des faster des vitesses Les transitoires à bruit élevé générées par la commutation faster naffectent pas lintégrité du signal à travers le driver, éliminant ainsi le risque de perte de modulation. La très haute spécification de verrouillage de 400 kV/μs rend les dispositifs Si8275BBD-IM1 extrêmement robustes, empêchant les dommages de verrouillage permanents, et dotés dune protection contre les défaillances UVLO, dun circuit de déglitch pour filtrer les entrées bruyantes et dune programmabilité à temps mort (broche DT) extrêmement précise. Grâce à cette fonction, les utilisateurs peuvent contrôler avec précision le temps mort entre les deux drivers pour optimiser lefficacité et la sécurité du système. Les drivers fonctionnent avec une large gamme de VDD dentrée 2,5 - 5,5 V et une tension dalimentation dentraînement maximale de 30 V.