Module IGBT, NXH100B120H3Q0PTG, , 1200 V, Q0BOOST, 22 broches, Double

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N° du produit:
1295E-1958768

N°. du fabricant:
NXH100B120H3Q0PTG

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Le NXH100B120H3Q0 est un module dalimentation contenant un double étage damplification composé de deux IGBT 50A/1 200 V, deux diodes SiC 20A/1 200 V et deux diodes antiparallèles 25 A/1 600 V pour les IGBT. Deux redresseurs de dérivation 25 A/1 600 V supplémentaires utilisés pour la limite de courant dappel sont inclus. Une thermistance est intégrée.Spécifications IGBT : VCE(sat) = 1,77 V, ESW = 2 180 uJ IGBT rapide avec faible VCE(sat) pour un haut rendement Diodes de dérivation 25 A/1 600 V et antiparallèles Diodes de dérivation à faible VF pour un excellent rendement en mode de dérivation Spécification de redressement SiC : VF = 1,44 V Diodes SiC pour commutation haute vitesse Options de broche à souder et de broche à pression disponibles Montage flexible Applications Niveau de boost MPPT Niveau de boost de chargeur de batterie

66.2 x 32.8 x 11.9mm

Autres mots de recherche: Transistors de puissance, Transistor CMS, Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor cms, 1958768, Semi-conducteurs, Composants discrets, IGBT, onsemi, NXH100B120H3Q0PTG

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