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IGBT, FGY75T95LQDT, , 950 V, A-247, 3 broches, Simple


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1952576
Fabricant:
     onsemi
N°. du fabricant:
     FGY75T95LQDT
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
transistor de puissance
Tension Collecteur Emetteur maximum = 950 V
Dissipation de puissance maximum = 453 W
Type de boîtier = A-247
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 3
Configuration du transistor = Simple
Dimensions = 15.87 x 4.82 x 20.82mm
Température de fonctionnement minimum = -55 °C
Plus d'informations:
Tension Collecteur Emetteur maximum:
950 V
Dissipation de puissance maximum:
453 W
Type de boîtier:
A-247
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Configuration du transistor:
Simple
Dimensions:
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Température d'utilisation maximum:
+175 °C
Température de fonctionnement minimum:
-55 °C
Autres mots de recherche: 1952576, Semi-conducteurs, Composants discrets, IGBT, onsemi, FGY75T95LQDT
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