Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1952498 N°. du fabricant: FDMS4D5N08LC EAN/GTIN: Pas d'information |
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| Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 116 A Tension Drain Source maximum = 80 V Type de boîtier = PQFN8 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 7,5 mΩ Mode de canal = Enrichissement Tension de seuil maximale de la grille = 2.5V Tension de seuil minimale de la grille = 1V Dissipation de puissance maximum = 113,6 W Configuration du transistor = Simple Tension Grille Source maximum = ±20 V Température d'utilisation maximum = +150 °Cmm Hauteur = 1.05mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 116 A | Tension Drain Source maximum: | 80 V | Type de boîtier: | PQFN8 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 7,5 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.5V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1V | Dissipation de puissance maximum: | 113,6 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 5.85mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 1952498, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, FDMS4D5N08LC |
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