Informations sur les produits | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N° du produit: 1295E-1938784 N°. du fabricant: S29AL008J70TFI013 EAN/GTIN: Pas d'information |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Le S29AL008J est une mémoire Flash de 8 Mbits, 3 V seulement organisée en 1 048 576 octets ou 24 288 mots. Le dispositif est proposé en boîtiers TSOP 48 billes à pas fin BGA (pas de 0,8 mm) et 48 broches. Les données à léchelle du mot (x16) apparaissent sur DQ15-DQ0, les données à léchelle de loctet (x8) apparaissent sur DQ7-DQ0. Ce dispositif est conçu pour être programmé dans le système avec lalimentation Vcc 3 V du système standard. Un VPP de 12,0 V ou un Vcc de 5 V ne sont pas nécessaires pour les opérations décriture ou deffacement. Le dispositif peut également être programmé en programmateurs EPROM standard. Le dispositif offre des temps daccès jusquà 55 ns, ce qui permet aux microprocesseurs haute vitesse de fonctionner sans état dattente. Pour éliminer les conflits de bus, le dispositif est doté de commandes séparées dactivation de puce (CE#), dactivation décriture (WE#) et dactivation de sortie (OE#). La programmation du dispositif se produit en exécutant la séquence de commande de programme. Cela lance lalgorithme de programme intégré, un algorithme interne qui temporise automatiquement la largeur dimpulsion du programme et vérifie la marge de cellule correcte. Le mode de dérivation de déverrouillage facilite faster les temps de programmation en ne nécessitant que deux cycles décriture pour programmer des données au lieu de quatre. Leffacement de lappareil se produit en exécutant la séquence de commande deffacement. Cela déclenche lalgorithme deffacement intégré, un algorithme interne qui préprogramme automatiquement le tableau (sil nest pas déjà programmé) avant dexécuter lopération deffacement. Duringerase, le dispositif multiplié automatiquement la largeur dimpulsion deffacement et vérifie la marge de cellule correcte. Le système hôte peut détecter si une opération de programme ou deffacement est terminée en observant la broche RY/BY#, ou en lisant les bits détat DQ7 (interrogation de données#) et DQ6 (bascule). Une fois le programme ou le cycle deffacement terminé, le dispositif est prêt à lire des données de tableau ou à accepter une autre commande. Plus d'informations: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Taille mémoire: | 8Mbit | Type d'interface: | CFI | Type de boîtier: | TSOP | Nombre de broches: | 48 | Configuration: | 1 Mb x 8 bits | Type de montage: | CMS | Type de cellule: | NOR | Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: | 2,7 V | Tension d'alimentation fonctionnement maximum: | 3,6 V | Organisation des blocs: | Asymétrique | Longueur: | 12mm | Hauteur: | 1.05mm | Largeur: | 18.4mm | Dimensions: | 18.4 x 12 x 1.05mm | Standard automobile: | AEC-Q100 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Autres mots de recherche: 1938784, Semi-conducteurs, Mémoires, Mémoires Flash, Infineon, S29AL008J70TFI013 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |