Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1867802 N°. du fabricant: MBR2030CTLG EAN/GTIN: 5059045747598 |
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| Le redresseur Schottky utilise le principe de barrière Schottky dans une grande zone de diode de puissance métal à silicium. La géométrie art est dotée dune structure épitaxiale avec passivation à loxyde et contact de recouvrement en métal. Il est parfaitement adapté pour une utilisation en tant que redresseurs dans les inverseurs basse tension, haute fréquence, les diodes de roue libre et les diodes de protection de polarité.Jonction passivée en oxyde extrêmement stable Très faible chute de tension directe (0,4 max. @ 10 A, TC = 150 °C) Température de jonction de fonctionnement de 150 °C. Structure à double matrice adaptée (10 A par pied ou 20 A par boîtier) Capacité de température de jonction élevée Capacité dv/dt élevée Excellente Ability to Withand Inverse avalanche Energy Transactions Protection contre les contraintes Caractéristiques mécaniques : Boîtier : époxy, moulé Poids : 1,9 grammes (environ) Finition : toutes les surfaces externes sont résistantes à la corrosion et les cordons de terminal sont à souder en lecture Température du câble pour le soudage : 260 °C max. pendant 10 secondes Plus d'informations: | | Type de montage: | Traversant | Type de boîtier: | A-220 | Courant direct continu maximum: | 20A | Tension inverse de crête répétitive: | 30V | Configuration de diode: | 2 paires à cathode commune | Type de redressement: | Redresseur Schottky | Type diode: | Schottky | Nombre de broches: | 3 | Chute minimale de tension directe: | 400mV | Nombre d'éléments par circuit: | 2 | Technologie de diode: | Barrière Schottky | courant direct de surcharge non-répétitif de crête: | 150A |
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| Autres mots de recherche: diode schottky, 1867802, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, onsemi, MBR2030CTLG |
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