Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1867490 N°. du fabricant:
MBR5H100MFST1G EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Type de montage = CMS
Type de boîtier = DFN
Courant direct continu maximum = 10A
Tension inverse de crête répétitive = 100V
Configuration de diode = Simple
Type de redressement = Redresseur Schottky
Type diode = Schottky
Nombre de broches = 5
Nombre d'éléments par circuit = 1
Technologie de diode = Barrière Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête = 200A Plus d'informations: | | Type de montage: | CMS | Type de boîtier: | DFN | Courant direct continu maximum: | 10A | Tension inverse de crête répétitive: | 100V | Configuration de diode: | Simple | Type de redressement: | Redresseur Schottky | Type diode: | Schottky | Nombre de broches: | 5 | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Technologie de diode: | Barrière Schottky | courant direct de surcharge non-répétitif de crête: | 200A |
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| Autres mots de recherche: Diode CMS, Diodes CMS, Diode SMD, Diodes SMD, Diode Schottky, Diodes Schottky, diode smd, 1867490, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, onsemi, MBR5H100MFST1G |
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