Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1823293 N°. du fabricant:
CY7C1041G30-10ZSXE EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Grande vitesse tAA = 10 ns Indice de température Automobile-E : -40 à 125 °C. Automobile-A : -40 à 85 °C. ECC intégré pour la correction derreur à un bit [1, 2] Faibles courants actifs et de veille Courant actif ICC = 40 mA typique Courant de veille ISB2 = 6 mA typique Plage de tension dutilisation : 2,2 à 3,6 V. Conservation des données 1 V Entrées et sorties compatibles TTL Boîtiers VFBGA 48 billes sans plomb et TSOP II 44 broches Plus d'informations: | | Taille mémoire: | 4Mbit | Configuration: | 256 k x 16 bits | Nombre de mots: | 256k | Nombre de bits par mot: | 16bit | Temps d'accès aléatoire maximum: | 10ns | Largeur de bus d'adresse: | 16bit | Fréquence d'horloge: | 1MHz | Faible consommation: | Oui | Type de timing: | Asynchrone | Type de montage: | CMS | Type de boîtier: | TSOP | Nombre de broches: | 44 | Dimensions: | 18.51 x 10.26 x 1.05mm | Hauteur: | 1.05mm | Tension d'alimentation fonctionnement maximum: | 3,6 V |
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| Autres mots de recherche: 1823293, Semi-conducteurs, Mémoires, Mémoires SRAM, Infineon, CY7C1041G3010ZSXE |
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