Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1784299 N°. du fabricant: NVMFD5C478NLT1G EAN/GTIN: Pas d'information |
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| Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 29 A Tension Drain Source maximum = 40 V Type de boîtier = DFN Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 14,5 mΩ Mode de canal = Enrichissement Tension de seuil maximale de la grille = 2.2V Tension de seuil minimale de la grille = 1.2V Dissipation de puissance maximum = 23 W Tension Grille Source maximum = ±20 V Largeur = 6.1mm Hauteur = 1.05mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 29 A | Tension Drain Source maximum: | 40 V | Type de boîtier: | DFN | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 14,5 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.2V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.2V | Dissipation de puissance maximum: | 23 W | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 5.1mm | Température d'utilisation maximum: | +175 °C | Nombre d'éléments par circuit: | 2 |
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| Autres mots de recherche: 1784299, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NVMFD5C478NLT1G |
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