Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1780885 N°. du fabricant:
MBR10100-E3/4W EAN/GTIN:
Pas d'information |
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| Redresseurs barrière Schottky MOS Trench TMBS, jusqu'à 20 A, Vishay Semiconductor. La série de redresseurs barrière Schottky MOS Trench (TMBS), de Vishay, contient une structure à tranchée brevetée. Les redresseurs TMBS offrent plusieurs avantages par rapport aux redresseurs Schottky planaires. A des tensions d'utilisation de 45 V et au-delà, les redresseurs Schottky planaires peuvent perdre leur avantage de commutation rapide et de faible chute de tension à un degré significatif. La structure TMBS brevetée aborde ces problèmes en réduisant les injections de porteur minoritaire dans la région à dérive, minimisant ainsi les charges stockées tout en améliorant les vitesses de commutation. Caractéristiques. Structure à tranchée brevetée Efficacité améliorée dans les alimentations à découpage c.a./c.c. et les convertisseurs c.c./c.c. Forte densité de puissance et faible tension directe Plus d'informations: | | Type de montage: | Traversant | Type de boîtier: | TO-220AC | Courant direct continu maximum: | 10A | Tension inverse de crête répétitive: | 100V | Configuration de diode: | Simple | Type de redressement: | Redresseur Schottky | Type diode: | Schottky | Nombre de broches: | 2 | Chute minimale de tension directe: | 800mV | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Technologie de diode: | Barrière Schottky | courant direct de surcharge non-répétitif de crête: | 150A |
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| Autres mots de recherche: Diode redresseuse, Diodes redresseuses, Diode Schottky, Diodes Schottky, diode redresseuse, 1780885, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, Vishay, MBR10100E34W |
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