Informations sur les produits | |
|
| N° du produit: 1295E-1779750 N°. du fabricant: 2N6661 EAN/GTIN: 5059045475279 |
| |
|
| | |
| Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 350 mA Tension Drain Source maximum = 90 V Type de boîtier = TO-39 Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 5 Ω Mode de canal = Enrichissement Tension de seuil maximale de la grille = 2V Tension de seuil minimale de la grille = 0.8V Dissipation de puissance maximum = 6,25 W Configuration du transistor = Simple Tension Grille Source maximum = 20 V Température d'utilisation maximum = +150 °Cmm Hauteur = 6.6mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 350 mA | Tension Drain Source maximum: | 90 V | Type de boîtier: | TO-39 | Série: | 2N6661 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 5 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2V | Tension de seuil minimale de la grille: | 0.8V | Dissipation de puissance maximum: | 6,25 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 20 V | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: 1779750, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Microchip, 2N6661 |
| | |
| |