Informations sur les produits | |
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| N° du produit: 1295E-1779742 N°. du fabricant: TN0110N3-G EAN/GTIN: 5059045471387 |
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| Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 350 mA Tension Drain Source maximum = 100 V Série = TN0110 Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 4,5 Ω Mode de canal = Enrichissement Tension de seuil maximale de la grille = 2V Tension de seuil minimale de la grille = 0.6V Dissipation de puissance maximum = 1 W Configuration du transistor = Simple Tension Grille Source maximum = 20 V Largeur = 4.06mm Température de fonctionnement minimum = -55 °CV Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 350 mA | Tension Drain Source maximum: | 100 V | Type de boîtier: | TO-92 | Série: | TN0110 | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 4,5 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2V | Tension de seuil minimale de la grille: | 0.6V | Dissipation de puissance maximum: | 1 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 20 V | Longueur: | 5.08mm |
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| Autres mots de recherche: 1779742, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Microchip, TN0110N3G |
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