Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1776673 N°. du fabricant:
SH8MA2GZETB EAN/GTIN:
5059045472902 |
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| Type de canal = N, P
Courant continu de Drain maximum = 4,5 A
Tension Drain Source maximum = 30 V
Série = SH8MA2
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 8
Résistance Drain Source maximum = 80 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2 (Tr1) V, 2 (Tr2) V
Tension de seuil minimale de la grille = 1 (Tr1) V, 1 (Tr2) V
Dissipation de puissance maximum = 2,7 W
Tension Grille Source maximum = ±20 V (Tr1, Tr2)
Charge de Grille type @ Vgs = 3 nC @ 10 V (Tr1), 6,7 nC @ 10 V (Tr2)mm
Température de fonctionnement minimum = -55 °Cmm Plus d'informations: | | Type de canal: | N, P | Courant continu de Drain maximum: | 4,5 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | SOP | Série: | SH8MA2 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 80 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2 (Tr1) V, 2 (Tr2) V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1 (Tr1) V, 1 (Tr2) V | Dissipation de puissance maximum: | 2,7 W | Tension Grille Source maximum: | ±20 V (Tr1, Tr2) | Longueur: | 5.2mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 1776673, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, ROHM, SH8MA2GZETB |
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