Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1776458 N°. du fabricant:
R6520ENX EAN/GTIN:
5059045474418 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 20 A
Tension Drain Source maximum = 650 V
Type de boîtier = TO-220FM
Type de montage = Traversant
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 200 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 4V
Tension de seuil minimale de la grille = 2V
Dissipation de puissance maximum = 68 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±30 V
Température d'utilisation maximum = +150 °Cmm
Hauteur = 15.4mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 20 A | Tension Drain Source maximum: | 650 V | Type de boîtier: | TO-220FM | Série: | R6520ENX | Type de montage: | Traversant | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 200 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 68 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±30 V | Longueur: | 10.3mm |
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| Autres mots de recherche: 1776458, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, ROHM, R6520ENX |
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