Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1718365 N°. du fabricant:
NTTFS4C02NTAG EAN/GTIN:
5059042144932 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 29 A
Tension Drain Source maximum = 30 V
Type de boîtier = WDFN
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 8
Résistance Drain Source maximum = 3,1 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 2.2V
Tension de seuil minimale de la grille = 1.3V
Dissipation de puissance maximum = 4,2 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Longueur = 3.15mm
Hauteur = 0.75mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 29 A | Tension Drain Source maximum: | 30 V | Type de boîtier: | WDFN | Série: | NTTFS4C02N | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 3,1 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 2.2V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1.3V | Dissipation de puissance maximum: | 4,2 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 3.15mm |
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| Autres mots de recherche: 1718365, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, onsemi, NTTFS4C02NTAG |
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