Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1712206 N°. du fabricant:
TPN14006NH,L1Q(M EAN/GTIN:
5059041784382 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 65 A
Tension Drain Source maximum = 60 V
Type de boîtier = TSON
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 8
Résistance Drain Source maximum = 41 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 4V
Tension de seuil minimale de la grille = 2V
Dissipation de puissance maximum = 30 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±20 V
Largeur = 3.1mm
Hauteur = 0.85mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 65 A | Tension Drain Source maximum: | 60 V | Type de boîtier: | TSON | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 8 | Résistance Drain Source maximum: | 41 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 4V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2V | Dissipation de puissance maximum: | 30 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±20 V | Longueur: | 3.1mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 1712206, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Toshiba, TPN14006NH,L1Q(M |
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