Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1711955 N°. du fabricant:
IPB020N10N5ATMA1 EAN/GTIN:
5059043768939 |
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| Type de canal = N
Courant continu de Drain maximum = 176 A
Tension Drain Source maximum = 100 V
Série = OptiMOS™ 5
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 2,5 mΩ
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 3.8V
Tension de seuil minimale de la grille = 2.2V
Dissipation de puissance maximum = 375 W
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = 20 V
Largeur = 11.05mm
Hauteur = 4.57mm Plus d'informations: | | Type de canal: | N | Courant continu de Drain maximum: | 176 A | Tension Drain Source maximum: | 100 V | Type de boîtier: | TO 263 | Série: | OptiMOS™ 5 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 2,5 mΩ | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 3.8V | Tension de seuil minimale de la grille: | 2.2V | Dissipation de puissance maximum: | 375 W | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | 20 V | Longueur: | 10.31mm |
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| Autres mots de recherche: 1711955, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IPB020N10N5ATMA1 |
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