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Transistor de puissance
>
Produit
MOSFET Infineon canal P, SO-8 8 A 30 V, 8 broches
Quantité:
Pièce
Informations sur les produits
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N° du produit:
1295E-1702264
Fabricant:
Infineon
N°. du fabricant:
SI4435DYTRPBF
EAN/GTIN:
5059043812694
Mots de recherche:
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor MOSFET de puissance à canal P 30 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal P dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Plus d'informations:
Type de canal:
P
Courant continu de Drain maximum:
8 A
Tension Drain Source maximum:
30 V
Type de boîtier:
SO-8
Série:
Si4435DYPbF
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
8
Résistance Drain Source maximum:
35 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:
1V
Dissipation de puissance maximum:
2,5 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
20 V
Longueur:
5mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
... >
Semi-conducteurs
>
Composants discrets
>
Transistors MOSFET
Autres mots de recherche:
mosfet de puissance
,
1702264
,
Semi-conducteurs
,
Composants discrets
,
Transistors MOSFET
,
Infineon
,
SI4435DYTRPBF
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max. 3 jours
max. 5 jours
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Prix dégressif
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Entrepôt 1295
4000
Franco à domicile
à partir de € 0,224*
€ 0,264*
Entrepôt 8DJEB
1
€ 7,90*
à partir de € 0,40*
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€ 0,224*
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par Pièce
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État du stock:
Entrepôt 1295
Expédition:
Entrepôt 1295
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État de l'emballage:
Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:
Non utilisé
Frais de retour:
A la charge du client
Frais de traitement:
aucune
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Type
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