MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 8,7 A 500 V, 3 broches

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Informations sur les produits

N° du produit:
1295E-1657113

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SIHP8N50D-GE3

EAN/GTIN:
5059040818590

Mots de recherche:

Transistor MOSFET canal N, série D haute tension, Vishay Semiconductor

Plus d'informations:


Type de canal:	N
Courant continu de Drain maximum:	8,7 A
Tension Drain Source maximum:	500 V
Type de boîtier:	TO-220AB
Série:	D Series
Type de montage:	Traversant
Nombre de broches:	3
Résistance Drain Source maximum:	850 mΩ
Mode de canal:	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille:	3V
Dissipation de puissance maximum:	156 W
Configuration du transistor:	Simple
Tension Grille Source maximum:	-30 V, +30 V
Longueur:	10.51mm
Température d'utilisation maximum:	+150 °C

Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, mosfet de puissance, 1657113, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Vishay, SIHP8N50DGE3

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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295

Période:	Dans les 15 jours
État de l'emballage:	Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:	Non utilisé
Frais de retour:	A la charge du client
Frais de traitement:	aucune
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.