Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-1632447 N°. du fabricant:
MBRB8H100T4G EAN/GTIN:
5059042450606 |
| |
|
| | |
| Les produits dont le préfixe de la référence fabricant commence par NSV-, SBR-ou S- sont certifiés AEC-Q101 pour l'automobile. Diodes barrières Schottky d on Semiconductor. Ce redresseur on Semiconductor Schottky utilise le principe de barrière Schottky à l'aide d'une barrière métallique pour créer le meilleur échange de courant inverse de chute de tension directe. Adapté pour une rectification basse tension et haute fréquence, ainsi qu'une diode de protection contre la roue libre et la polarité dans une large gamme d'applications à montage en surface où une taille et un poids plus compacts sont essentiels. Sans plomb Conçu pour l'assemblage de carte automatisé optimal Protection contre les contraintes Boîtier moulé en époxy Boîtier léger 11,7 mg Plus d'informations: | | Type de montage: | CMS | Type de boîtier: | D2PAK (TO-263) | Courant direct continu maximum: | 8A | Tension inverse de crête répétitive: | 100V | Configuration de diode: | Simple | Type de redressement: | Redresseur Schottky | Type diode: | Schottky | Nombre de broches: | 3 | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Technologie de diode: | Barrière Schottky | courant direct de surcharge non-répétitif de crête: | 250A |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: Diode CMS, Diodes CMS, Diode SMD, Diodes SMD, Diode Schottky, Diodes Schottky, diode smd, 1632447, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, onsemi, MBRB8H100T4G |
| | |
| |