Informations sur les produits | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N° du produit: 1295E-1632177 N°. du fabricant: MBRS330T3G EAN/GTIN: 5059042746259 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Redresseurs barrière Schottky d'ON Semiconductor 3 A 20 / 30 / 40 V. Cette gamme de redresseurs Schottky de puissance , d'ON Semiconductor, utilise la technologie de barrière Schottky dans une diode de puissance. Ces redresseurs 3 A sont des dispositifs compacts qui sont disponibles dans une gamme de différentes options de tension. Ces redresseurs Schottky de puissance sont fournis dans un boîtier à montage en surface SMC avec cordons à coude en J. Le boîtier est fabriqué en époxy moulé et mesure 7,94 x 5,84 x 2,13 mm. Les surfaces externes du boîtier sont résistantes à la corrosion. Caractéristiques : Jonction passivée en oxyde stable Faible chute de tension directe Résiste aux transitoires à puissance d'avalanche inversée La bague de protection fournit une protection contre les contraintes Quels en sont les usages ? Ces redresseurs Schottky de puissance sont parfaits pour le redressement basse tension haute fréquence. Ils peuvent également être utilisés comme des diodes de roue libre et de protection de polarité. Ils sont idéaux pour les applications dans lesquelles la taille et le poids sont importants. Leur boîtier rectangulaire les rend adaptés à la manutention automatisée. Quelle est la température d'utilisation de la jonction ? -65 à +150 °C Quel est le courant direct redressé ? 3 A (110 °C) ou 4 A (105 °C) Version disponible : MBRS320T3G - 20 V SBRS8320T3G - 20 V MBRS330T3G - 30 V NRVBS330T3G - 30 V MBRS340T3G - 40 V SBRS8340T3G - 40 V Plus d'informations: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Type de montage: | CMS | Type de boîtier: | DO-214AB (SMC) | Courant direct continu maximum: | 4A | Tension inverse de crête répétitive: | 30V | Configuration de diode: | Simple | Type de redressement: | Redresseur Schottky | Type diode: | Schottky | Nombre de broches: | 2 | Chute minimale de tension directe: | 500mV | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Technologie de diode: | Barrière Schottky | courant direct de surcharge non-répétitif de crête: | 80A |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Autres mots de recherche: Diode CMS, Diodes CMS, Diode SMD, Diodes SMD, Diode Schottky, Diodes Schottky, diode smd, 1632177, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, onsemi, MBRS330T3G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |