Informations sur les produits |  |
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| N° du produit:
1295E-1486960 N°. du fabricant:
RE1C002ZPTL EAN/GTIN:
5059043664705 |
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| Type de canal = P
Courant continu de Drain maximum = 200 mA
Tension Drain Source maximum = 20 V
Type de boîtier = SC-75
Type de montage = CMS
Nombre de broches = 3
Résistance Drain Source maximum = 9,6 Ω
Mode de canal = Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille = 0.3V
Tension de seuil minimale de la grille = 1V
Dissipation de puissance maximum = 150 mW
Configuration du transistor = Simple
Tension Grille Source maximum = ±10 V
Largeur = 0.96mm
Hauteur = 0.8mm Plus d'informations: | | Type de canal: | P | Courant continu de Drain maximum: | 200 mA | Tension Drain Source maximum: | 20 V | Type de boîtier: | SC-75 | Type de montage: | CMS | Nombre de broches: | 3 | Résistance Drain Source maximum: | 9,6 Ω | Mode de canal: | Enrichissement | Tension de seuil maximale de la grille: | 0.3V | Tension de seuil minimale de la grille: | 1V | Dissipation de puissance maximum: | 150 mW | Configuration du transistor: | Simple | Tension Grille Source maximum: | ±10 V | Longueur: | 1.7mm | Température d'utilisation maximum: | +150 °C |
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| Autres mots de recherche: 1486960, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, ROHM, RE1C002ZPTL |
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