Informations sur les produits |  |
| |
| N° du produit:
1295E-1339915 N°. du fabricant:
IDH10G120C5XKSA1 EAN/GTIN:
5059043597119 |
| |
|
| | |
| thinQ! Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium, Infineon. L'Infineon thinQ!™ Génération 5 offre une nouvelle technologie de plaquette fine pour diodes barrières Schottky SiC qui améliore les propriétés thermiques. Les circuits de diode Schottky SiC disposent de caractéristiques spécifiques des semi-conducteurs de puissance haute tension telles que des champs de rupture et une conductivité thermique plus élevés, permettant des niveaux de rendement supérieurs. Cette nouvelle génération est adaptée à une utilisation dans les alimentations à découpage et les serveurs haut de gamme dans les télécommunications, les systèmes d'onduleur, les commandes de moteur, les inverseurs solaires, ainsi que les PC Silverbox et les applications d'éclairage. EMI réduite Plus d'informations: | | Type de montage: | Traversant | Type de boîtier: | A-220 | Courant direct continu maximum: | 31.9A | Tension inverse de crête répétitive: | 1200V | Configuration de diode: | Simple | Type de redressement: | Diode Schottky | Type diode: | Schottky SiC | Nombre de broches: | 2 + Tab | Chute minimale de tension directe: | 2.6V | Nombre d'éléments par circuit: | 1 | Technologie de diode: | Schottky SiC | courant direct de surcharge non-répétitif de crête: | 99A |
|
| | |
| | | |
| Autres mots de recherche: diode schottky, 1339915, Semi-conducteurs, Composants discrets, Diodes Schottky et de redressements, Infineon, IDH10G120C5XKSA1 |
| | |
| |