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MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 343 A 40 V, 3 broches


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     1295E-1301025
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     IRLS3034TRLPBF
EAN/GTIN:
     5059043055404
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 40 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
343 A
Tension Drain Source maximum:
40 V
Type de boîtier:
D2PAK (TO-263)
Série:
HEXFET
Type de montage:
CMS
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
2 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille:
1V
Dissipation de puissance maximum:
375 W
Tension Grille Source maximum:
-20 V, +20 V
Longueur:
10.67mm
Température d'utilisation maximum:
+175 °C
Autres mots de recherche: Transistors de puissance, MOSFET, transistor à effet de champ, 1301025, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, Infineon, IRLS3034TRLPBF
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 1295
Période:Dans les 15 jours
État de l'emballage:Emballage d'origine ouvert, non endommagé
État de la marchandise:Non utilisé
Frais de retour:A la charge du client
Frais de traitement:aucune
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